Nová integrovaná paměť typu EFD poskytuje rychlosti a kapacity, které budou potřeba pro maximalizaci možností špičkových chytrých telefonů a mobilních zařízení v éře 5G. Nová paměť využívá vlastní vylepšenou firemní technologii 3D NAND s 96 vrstvami. Paměť iNAND® MC EU511 podporuje specifikace rozhraní Universal Flash Storage (UFS) 3.0 Gear 4/2. Díky vylepšené technologii iNAND SmartSLC Gen.6 dosahuje paměť sekvenčních rychlostí zápisu až 750 MB/s, což umožní například uložit dvouhodinové video pouze za 3,6 sekund.
Nový standard 5G slibuje ultra rychlé přenosové rychlosti, nízkou latenci, nízkou spotřebu energie a kapacity vysokorychlostní sítě pro všechny mobily a další mobilní zařízení. Nové možnosti si vyžádají vysoce rychlostní rozhraní, jako je USF 3.0 nejen u mobilních telefonů, ale u bezpočtu dalších zařízení v prostředí IoT.
„Chytré telefony se stávají centrem digitálního propojení,“ říká Oded Sagee, ředitel společnosti Western Digital pro paměťová zařízení, a dodává: „Vysoké rychlosti sítě 5G jsou nastaveny tak, aby dodávaly data až stokrát rychleji, než předchozí generace. To, mimo jiné, umožní nárůst aplikací AI na mnoha mobilních zařízeních. Umělá inteligence (AI) podporovaná integrovanými jednotkami NPU (Neural Processing Unit) umožní přístup k analýze dat a změní způsoby, jak využívat chytré telefony. Zpracování dat v reálném čase bude nutností a vyžádá si vysoké standardy při zachycení a ukládání dat a při přístupu k nim. Díky naší nové vestavěné paměti UFS 3.0 umožníme uživatelům maximalizovat přínos sítě 5G kdykoli, bez problémů, plynule a nepřetržitě.“
Zařízení spolupracující se sítí 5G a s rozhraním UFS 3.0 poskytnou vyšší výkon a nižší latenci pro aplikace, jako je rozšířená nebo virtuální realita (AR/VR) nebo pro mobilní hry. Navíc tyto vysoké přenosové rychlosti umožní uživatelům na svých mobilních zařízeních rychle stahovat a prohlížet si nebo přehrávat vysoce kapacitní multimediální formáty ve vysokém rozlišení a v rozlišení 4K/8K.
Paměť iNAND MC EU511 atakuje čelní pozice v odvětví svým rychlým sekvenčním zápisem, který dosahuje až 750 MB/s a sekvenčním čtením, které je ve srovnání s předchozími modely téměř dvojnásobné.
Nová paměť se dodává OEM partnerům v kapacitách 64 až 512 GB.
