Nová paměť iNAND MC EU521 s funkcí Write Booster pro výrazné zvýšení výkonu u sekvenčního zápisu umožní u úložišť chytrých telefonů dosahovat rychlostí až 800 MB/s při standardech UFS 3.1 JEDEC.
Nová paměť typu UFS (Universal Flash Storage), která nese označení iNAND MC EU521 umožňuje vývojářům mobilních zařízení poskytnout uživatelům při práci s chytrými telefony 5G vyšší uživatelský komfort. Nová paměť podporuje standardy JEDEC a UFS 3.1 a přináší funkci Write Booster. Společnost je tak mezi prvními v odvětví, kdo poskytuje komerční úložiště optimalizované pro aplikace a možnosti standardu UFS 3.1 5G.
Paměťové flash čipy pro interní paměť umožňují výrobcům a vývojářům mobilních zřízení využít plně výhod širokopásmového rozraní UFS 3.1 (4/2) a také technologii SLC (single-level cell) NAND při načítání do mezipaměti. Nová použitá technologie umožňuje zvýšit rychlost sekvenčního zápisu až na turbo rychlost dosahující 800 MB/s a zajistí tak vysoký uživatelský komfort a lepší práci s aplikacemi jako jsou stahování formátů 4K a 8K, přesouvání velkých souborů z cloudových úložišť nebo hraní her. Paměťové chipy iNAND EU521 budou dostupné od března tohoto roku v kapacitách 128 GB a 256 GB.
Produktová řada Western Digital iNAND poskytuje ukládací řešení pro chytré telefony a mobilní zařízení. Využívá technologii 3D NAND s 96 vrstvami a pokročilé technologie rozhraní UFS, které zvyšují uživatelský komfort. Tato řada komerčních produktů pro interní paměti je navržena tak, aby udržela vysoký a stabilní výkon u aplikací náročných na přenos dat, jako jsou 4K/8K video, rozšířená nebo virtuální realita a umělá inteligence. Společnost také nabízí doplňkové paměťové karty a inovativní zařízení pro ukládání dat ale produkty na dobíjení mobilních zařízení.
